8英寸碳化硅襯底片已達成批量生產(chǎn)交付的能力，我們可以滿(mǎn)足不同客戶(hù)的要求?！?2月13日至15日，在2023日本東京半導體展上，浙江晶盛機電股份有限公司首次對外展示高品質(zhì)8英寸碳化硅襯底片和8英寸外延生長(cháng)設備，引起了參會(huì )行業(yè)專(zhuān)家、客戶(hù)的濃厚興趣。

　　相較于今年2月晶盛機電發(fā)布推出的6英寸雙片式外延設備，這次發(fā)布的8英寸碳化硅外延設備可兼容6英寸、8英寸碳化硅外延生產(chǎn)，能提供更先進(jìn)的技術(shù)支持。

　　就在上個(gè)月，總投資達21.2億元的晶盛機電“年產(chǎn)25萬(wàn)片6英寸、5萬(wàn)片8英寸碳化硅襯底片項目”正式啟動(dòng)，按下了布局碳化硅賽道的加速鍵。

　　晶盛機電創(chuàng )立于2006年，起步就是高端制造。這些年來(lái)圍繞硅、碳化硅、藍寶石三大主要半導體材料國產(chǎn)替代，研發(fā)出了一系列半導體裝備國產(chǎn)化關(guān)鍵設備。

　　近日，晶盛機電旗下位于杭州灣上虞經(jīng)開(kāi)區的浙江晶瑞電子材料有限公司凈化車(chē)間內，6-8英寸導電型碳化硅晶片在自動(dòng)生產(chǎn)線(xiàn)上正加速量產(chǎn)。公司副總經(jīng)理楊水淼告訴記者說(shuō)，目前公司生產(chǎn)計劃已滿(mǎn)排到2024年底。

　　“作為第三代半導體材料的碳化硅，能輕松駕馭如今的高電壓、大電流新應用，普遍應用于電動(dòng)汽車(chē)等行業(yè)，這一特性是傳統的硅材料芯片所無(wú)法比擬的。以前碳化硅材料技術(shù)被歐美企業(yè)壟斷?！睏钏嫡f(shuō)，碳化硅作為第三代半導體代表材料，在全球能源轉型和“雙碳”目標的背景下，新能源汽車(chē)、光伏儲能、智能電網(wǎng)、特高壓、航空航天等新興產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，全球市場(chǎng)需求激增，它也被國家“十四五”規劃和2035年遠景目標綱要列為重要發(fā)展方向。

　　晶瑞電子材料有限公司自2017年開(kāi)始碳化硅晶體生長(cháng)設備和工藝研發(fā)，得益于強大的技術(shù)沉淀，2018年，公司研發(fā)出首臺碳化硅單晶爐，并迅速進(jìn)入材料的研發(fā)和生產(chǎn)階段。

　　但破冰之舉來(lái)之不易。人工合成碳化硅，是將碳粉與硅粉通過(guò)化學(xué)氣相沉積（CVD）的方式緩慢生長(cháng)而成。碳化硅高硬度、高強度、高耐磨、高耐腐蝕等特性，對生產(chǎn)工藝有極其苛刻的要求，尤其是大尺寸的碳化硅晶體制備，一直是行業(yè)的“卡脖子”技術(shù)。

　　去年8月，經(jīng)過(guò)技術(shù)攻關(guān)，第一顆8英寸N型碳化硅晶體出爐，企業(yè)第三代半導體材料碳化硅研發(fā)自此邁入8英寸時(shí)代。目前，晶瑞電子材料已建設了6-8英寸碳化硅晶體生長(cháng)、切片、研磨、拋光量產(chǎn)線(xiàn)，并且已解決了8英寸碳化硅晶體生長(cháng)過(guò)程中溫場(chǎng)不均、晶體開(kāi)裂、氣相原料分布等難點(diǎn)問(wèn)題。6英寸襯底片已通過(guò)多家下游企業(yè)驗證，正處于快速上量階段，8英寸襯底片已處于小批量試制和下游企業(yè)驗證階段。

　　“下階段，爭取8英寸襯底片迅速通過(guò)客戶(hù)端驗證，實(shí)現批量交付?！睏钏嫡f(shuō)，公司把每項技術(shù)、每個(gè)設備都做到極致，只做最好的，做到行業(yè)最高端。